FET Datasheet(PDF) - PTFB192503FL - Cree, Inc

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FET Scheda tecnica, PDF

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Parola chiave cercata : 'FET' - Total: 67 (1/4) Pages

Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
Cree, Inc	PTFB192503FL	531Kb/14P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 240 W, 1930 ??1990 MHz
	PTFB182503FL	497Kb/11P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 240 W, 1805 ??1880 MHz
	PTFB211503FL	578Kb/13P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 150 W, 2110 ??2170 MHz
	PTFB212503FL	553Kb/13P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 240 W, 2110 ??2170 MHz
	PTVA030121EA	423Kb/10P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 12 W, 50 V, 390 ??450 MHz
	PTVA035002EV	462Kb/8P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 500 W, 50 V, 390 ??450 MHz
	PTFB091507FH	618Kb/13P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 160 W, 28 V, 920 ??960 MHz
	PTFB193404F	610Kb/14P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 340 W, 30 V, 1930 ??1990 MHz
	PXFE181507FC	550Kb/8P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 175 W, 28 V, 1805 ??1880 MHz
	PTVA120252MT	530Kb/9P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 25 W, 48 V, 500 ??1400 MHz
	PTVA127002EV	1Mb/10P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 700 W, 50 V, 1200 ??1400 MHz
	PXAC192908FV	525Kb/9P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 240 W, 28 V, 1930 ??1995 MHz
	PTVA092407NF	595Kb/9P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 240 W, 48 V, 869 ??960 MHz
	PXFC192207FH	662Kb/9P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 220 W, 28 V, 1805 - 1990 MHz
	PTAC210802FC	719Kb/9P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 80 W, 28 V, 1805 ??2170 MHz
	PXAE183708NB	486Kb/6P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 430 W, 28 V, 1805 ??1880 MHz
	PTFC262157FH	616Kb/10P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 200 W, 28 V, 2620 ??2690 MHz
	PTVA084007NF	486Kb/9P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 370 W, 48 V, 755 ??805 MHz
	PXAD184218FV	465Kb/9P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 420 W, 28 V, 1805 ??1880 MHz
	PTRA093302FC	482Kb/8P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 330 W, 50 V, 746 ??768 MHz

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Cosa è FET

FET sta per Transistor Effect Field ed è uno dei componenti elettronici.

FET è un dispositivo che controlla la corrente di uscita in base all'entità e alla direzione della tensione di ingresso.

I FET usano meno energia e sono adatti per applicazioni ad alta frequenza e ad alte prestazioni.

I FET funzionano applicando un segnale elettrico al canale per controllare la sua conducibilità.

Si comporta in un modo diverso rispetto ai transistor bipolari convenzionali.

Un FET induce una corrente nel canale applicando una tensione all'elemento semiconduttore che forma il canale.

In questo modo, il FET utilizza una piccola quantità di potenza per controllare la corrente di uscita.

Esistono vari tipi di FET, come MOSFET (FET a semiconduttore di ossido di metallo) e JFET (giunzione FET).

I MOSFET sono il tipo più comune e funzionano usando canali elettricamente isolati.

Un JFET è una struttura che utilizza una giunzione PN per formare un canale e funziona senza applicare una tensione.

I FET sono ampiamente utilizzati nei componenti elettronici. Le principali applicazioni sono applicazioni ad alta frequenza e ad alte prestazioni, circuiti integrati, amplificatori, circuiti di commutazione, filtri, ecc.

I FET svolgono un ruolo enorme nel migliorare le prestazioni dei dispositivi elettronici offrendo un consumo energetico inferiore e velocità più elevate rispetto ai tradizionali transistor bipolari.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.

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