HBT Datasheet(PDF) - MMG3009NT1 - NXP Semiconductors

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HBT Scheda tecnica, PDF

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Parola chiave cercata : 'HBT' - Total: 1096 (9/55) Pages

Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
NXP Semiconductors	MMG3009NT1	413Kb/14P	Heterojunction Bipolar Transistor (InGaP HBT) Rev. 7, 9/2014
Tachyonics CO,. LTD	THM1001TE	170Kb/9P	SiGe HBT MMIC POWER AMPLIFIER
Mimix Broadband	CGB7289-BD	308Kb/18P	DC-2.5 GHz InGaP HBT
Aeroflex Circuit Techno...	MMA701A	585Kb/4P	+24 dBm InGaP HBT Amplifier
ANADIGICS, Inc	CHP1237	243Kb/12P	KPCS CDMA InGaP HBT Amplifier
Mitsubishi Electric Sem...	MGFS36E2325	70Kb/6P	2.3-2.5GHz HBT HYBRID IC
RF Micro Devices	RF3807	781Kb/20P	GaAs HBT PRE-DRIVER AMPLIFIER
Freescale Semiconductor...	MMG3007NT1	307Kb/15P	Heterojunction Bipolar Transistor (InGaP HBT)
Mitsubishi Electric Sem...	MGFS36E2527	78Kb/7P	2.5-2.7GHz HBT HYBRID IC
SJM Prewell. All Rights...	PH330	787Kb/8P	High Linearity InGaP HBT Amplifier
RF Micro Devices	QPA4463A	771Kb/8P	CASCADABLE SiGe HBT MMIC AMPLIFIER
	QPA4263A	765Kb/8P	CASCADABLE SiGe HBT MMIC AMPLIFIER
	QPA4363A	767Kb/8P	CASCADABLE SiGe HBT MMIC AMPLIFIER
SJM Prewell. All Rights...	PH335	471Kb/6P	High Linearity InGaP HBT Amplifier
	PH465	828Kb/8P	High Linearity InGaP HBT Amplifier
	PH530-S8	1Mb/7P	High Linearity InGaP HBT Amplifier
	PH230	403Kb/5P	High Linearity InGaP HBT Amplifier
Analog Devices	HMC413QS16G	415Kb/8P	GaAs InGaP HBT MMIC v
Analog Devices	HMC313	309Kb/6P	High Reliability GaAs HBT Process
RF Micro Devices	CGA-1518Z	452Kb/8P	HIGH LINEARITY InGaP HBT AMPLIFIER

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Cosa è HBT

HBT (transistor bipolare eterojunction) è un dispositivo a semiconduttore utilizzato principalmente in dispositivi elettronici e circuiti ad alta frequenza. L'HBT è realizzato utilizzando due tipi di materiali a semiconduttore, tipo superficiale ed eterogeneo, che offrono i vantaggi dell'operazione ad alta velocità, del guadagno di corrente elevata e della frequenza di cutoff elevata. Queste caratteristiche rendono l'HBT ampiamente utilizzato nei campi di telecomunicazioni e di comunicazione wireless.

Gli HBT sono adatti per applicazioni ad alta frequenza e ad alta velocità, in particolare come amplificatori di potenza RF nei sistemi di comunicazione wireless. Inoltre, un guadagno di corrente più elevato consente una maggiore potenza di uscita. Per questo motivo, HBT è uno dei componenti principali utilizzati in telefoni cellulari, comunicazioni satellitari, radar e altri dispositivi di comunicazione wireless.

Gli HBT offrono prestazioni ed efficienza più elevate rispetto ai tradizionali transistor eterogenei (BJT) e sono particolarmente utili nelle applicazioni ad alta frequenza e ad alta velocità. Questo è un elemento importante nel campo delle comunicazioni, che consente una trasmissione di dati più rapida e un'elaborazione del segnale.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.

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