MOSFET Datasheet(PDF) - WPM2341 - Will Semiconductor Ltd.

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Cosa è MOSFET

Transistor ad effetto di campo-semiconduttore metallo (MOSFET) è un tipo di dispositivo a semiconduttore di potenza utilizzato per il controllo di applicazioni ad alta potenza, come alimentatori, unità motore e inverter.

È un tipo di transistor ad effetto campo (FET), il che significa che funziona controllando il flusso di corrente tra i terminali di sorgente e di scarico utilizzando un campo elettrico.

In un MOSFET, il flusso di corrente è controllato da un sottile pellicola di ossido di metallo che funge da gate, che è isolato dal resto del dispositivo da un sottile strato isolante.

La tensione di gate controlla la larghezza del canale tra i terminali di origine e di scarico, che determina il flusso di corrente attraverso il dispositivo.

Esistono due tipi principali di MOSFET: n-channel e c-channel. I MOSFET N-Canale hanno un canale drogato con un materiale di tipo N, mentre i MOSFET a canale P hanno un canale drogato con un materiale di tipo P.

I MOSFET offrono numerosi vantaggi rispetto ad altri tipi di semiconduttori di potenza, tra cui elevata impedenza di input, bassa resistenza allo stato, velocità di commutazione rapida e alta efficienza.

Sono anche altamente versatili e possono essere utilizzati in una varietà di applicazioni, come alimentatori, unità motore e inverter.

Tuttavia, i MOSFET hanno anche alcuni svantaggi, tra cui un punteggio di tensione limitato e la necessità di un circuito di trasmissione di gate per controllare il dispositivo.

Inoltre, sono suscettibili alla fuga termica, che può causare il fallimento del dispositivo se si surriscalda.

Per mitigare questo rischio, i MOSFET sono spesso utilizzati in combinazione con altri componenti, come dispositivi di protezione termica o circuiti di snubber.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.

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Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
Will Semiconductor Ltd.	WPM2341	2Mb/9P	P-Channel Enhancement Mode Mosfet
	WPM2341A	2Mb/7P	P-Channel Enhancement Mode Mosfet
	WPM2005	1Mb/8P	Power MOSFET and Schottky Diode
	WPM2006	920Kb/8P	Power MOSFET and Schottky Diode
	WPM2005B	2Mb/6P	Power MOSFET and Schottky Diode
	WPM4803	770Kb/7P	P-Channel Enhancement Mode MOSFET
	WPM9435	858Kb/6P	P-Channel Enhancement Mode MOSFET
	WCM2007	3Mb/11P	N- and P-Channel, 20V, MOSFET
	WCR670N65	1Mb/9P	650V N-Channel Super Junction MOSFET
	WNM3011	471Kb/7P	N-Channel, 30V, 5.7A, Power MOSFET
	WNM3034	1Mb/9P	SingleN-Channel, 30V, 19A, Power MOSFET
	WCR380N65	1Mb/8P	650V N-Channel Super Junction MOSFET
	WNM3003	445Kb/7P	N-Channel, 30V, 4.0A, Power MOSFET
	WNM2016	851Kb/7P	N-Channel, 20V, 3.2A, Power MOSFET
	WCR420N65	1Mb/8P	650V N-Channel Super Junction MOSFET
	WCR1K2N65	1Mb/9P	650V N-Channel Super Junction MOSFET
	WCR250N65	1Mb/8P	650V N-Channel Super Junction MOSFET
	WPM3024	2Mb/8P	Single P-Channel, -30V, -4.4A, Power MOSFET
	WPM3401	1Mb/7P	Single P-Channel, -30V, -4.6A, Power MOSFET
	WPM2015	813Kb/8P	Single P-Channel, -20V, -2.4A, Power MOSFET

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