Motore di ricerca datesheet componenti elettronici
  Italian  ▼
ALLDATASHEETIT.COM

X  



N-CHANNEL Scheda tecnica, PDF

Fairchild Semiconductor(3621)Faraday Technology(3)FCI connector(7)Feeling Technology Corp.(3)FETek Technology Corp.(481)FIBOX Enclosing innovations(2)FIDELIX(1)Filtran LTD(3)Filtronic Compound Semiconductors(1)Finisar Corporation.(6)First Components International(60)First Silicon Co., Ltd(387)Fitipower Integrated Technology Inc.(6)Formosa MS(9)Fortune Semiconductor Corp.(7)Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.(161)FOSLINK SEMICONDUCTOR CO.,LTD(2)Fox Electronics(4)Freescale Semiconductor, Inc(223)Frequency Devices, Inc.(11)Frontier Electronics.(1)FSP TECHNOLOGY INC.(5)Fuji Electric(649)Fujitsu Component Limited.(42)Future Technology Devices International Ltd.(6)FutureWafer Tech Co.,Ltd(11)Fuzetec Technology Co., Ltd.(1)Gamewell-FCI by Honeywell(1)Gaomi Xinghe Electronics Co., Ltd.(1)GE Solid State(10)General Semiconductor(25)Generalplus Technology Inc.(24)GeneSiC Semiconductor, Inc.(36)Gennum Corporation(6)Glenair, Inc.(24)Global Mixed-mode Technology Inc(27)Golledge Electronics Ltd(1)Good Will Instrument Co., Ltd.(1)GOOD-ARK Electronics(389)GPB International Limited.(1)Grayhill, Inc(6)Grenergy Opto, lnc.(4)Greystone Energy Systems Inc.(3)GTM CORPORATION(366)GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD.(11)Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd(1162)GuangDong Province MengCo Semiconductor Co., Ltd(1)Guangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.(274)Guerrilla RF, Inc.(1)Guilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd.(12)Gunter Seniconductor GmbH.(71)HALO Electronics, Inc.(6)Hamamatsu Corporation(2)HAMLIN Position and Movement Sensor Solutions(1)Harris Corporation(29)Hi-Sincerity Mocroelectronics(54)Hirose Electric(4)Hitachi Metals, Ltd(3)Hitachi Semiconductor(522)HITRON ELECTRONICS CORPORTION(5)Hittite Microwave Corporation(76)Holt Integrated Circuits(23)Holtek Semiconductor Inc(20)Honeywell Solid State Electronics Center(3)HOOYI SEMICONDUCTOR(1)HTC Korea TAEJIN Technology Co.(3)HUAJING MICROELECTRONICS(9)HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.(150)Huber+Suhner, Inc.(296)HY ELECTRONIC CORP.(40)Hynix Semiconductor(1)IC-Haus GmbH(22)Icemos Technology(43)IK Semicon Co., Ltd(2)Inchange Semiconductor Company Limited(10943)Infineon Technologies AG(491)Insel Rectifier India Pvt. Ltd.(1)Integral Corp.(2)Integrated Circuit Systems(7)Integrated Device Technology(113)Integrated Silicon Solution, Inc(22)Intel Corporation(2)InterFET Corporation(97)International Rectifier(335)Intersil Corporation(873)Intronics Power, Inc.(2)Inventronics Inc.(14)IOGEAR(1)IRC - a TT electronics Company.(2)Isabellenhütte Heusler GmbH & Co. KG(1)Isahaya Electronics Corporation(35)ISOCOM COMPONENTS(3)ITT Industries(4)IXYS Corporation(523)Japan Aviation Electronics Industry, Ltd.(1)JDS Uniphase Corporation(17)Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd(218)Jiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd(117)Jiaxing Heroic Technology Co.,Ltd.(5)JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.(80)Jingjing Microelectronics Co., Ltd(6)JMK Inc.(1)JSC ALFA.(2)
More
Parola chiave cercata : 'N-CHANNEL' - Total: 97 (1/5) Pages
Produttore elettroniciIl numero della parteScheda tecnicaSpiegazioni elettronici
Company Logo Img
InterFET Corporation
IXTH15N70 Datasheet pdf image
34Kb/2P
N-Channel Enhancement Mode
2N4856 Datasheet pdf image
69Kb/1P
N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor
2N4416 Datasheet pdf image
69Kb/1P
N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor
U311 Datasheet pdf image
89Kb/1P
N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor
2N3370 Datasheet pdf image
92Kb/1P
N - CHANNEL JFETS GENERAL - PURPOSE DEVICE TYPES
2N4391 Datasheet pdf image
65Kb/1P
N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor
2N6449 Datasheet pdf image
91Kb/1P
N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor
IF1320 Datasheet pdf image
63Kb/1P
N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor
IF1801 Datasheet pdf image
91Kb/1P
N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor
J203 Datasheet pdf image
98Kb/1P
N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor
J211 Datasheet pdf image
98Kb/1P
N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor
J212 Datasheet pdf image
97Kb/1P
N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor
J230 Datasheet pdf image
98Kb/1P
N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor
U310 Datasheet pdf image
68Kb/1P
N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor
IF4501 Datasheet pdf image
91Kb/1P
N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor
VCR11 Datasheet pdf image
88Kb/1P
N-Channel Silicon Voltage Controlled Resistor JFET
2N3821 Datasheet pdf image
94Kb/1P
N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor
J232 Datasheet pdf image
92Kb/1P
N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor
J110 Datasheet pdf image
92Kb/1P
N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor
J112 Datasheet pdf image
98Kb/1P
N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor

1 2 3 4 5 >


1 2 3 4 5 >



Cosa è N-CHANNEL


Il canale N è un tipo di MOSFET (transistor ad effetto di campo ossido-metallo-semiconduttore) che ha un canale drogato con un materiale di tipo N.

In un MOSFET a canale N, il flusso di corrente è controllato da un sottile pellicola di ossido di metallo che funge da gate, che è isolato dal resto del dispositivo da un sottile strato isolante.

Quando una tensione positiva viene applicata al cancello, crea un campo elettrico che attira elettroni al cancello e forma un canale tra i terminali di sorgente e di scarico.

Questo canale consente alla corrente di fluire tra i terminali di sorgente e di drenaggio e la larghezza del canale è determinata dalla tensione applicata al gate.

I MOSFET N-Canale sono ampiamente utilizzati in una varietà di applicazioni, tra cui alimentatori, unità motori e inverter, grazie alla loro elevata impedenza di input, bassa resistenza allo stato, velocità di commutazione rapida e alta efficienza.

Tuttavia, i MOSFET N-Canale hanno anche alcuni svantaggi, come una valutazione a tensione limitata e la necessità di un circuito di trasmissione di gate per controllare il dispositivo. Inoltre, sono suscettibili alla fuga termica, che può causare il fallimento del dispositivo se si surriscalda.

Per mitigare questo rischio, i MOSFET N-Canale sono spesso utilizzati in combinazione con altri componenti, come dispositivi di protezione termica o circuiti di snobber.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.


Link URL :

Privacy Policy
ALLDATASHEETIT.COM
Lei ha avuto il aiuto da alldatasheet?  [ DONATE ] 

Di alldatasheet   |   Richest di pubblicita   |   contatti   |   Privacy Policy   |   scambio Link   |   Ricerca produttore
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com