DIFFUSED Datasheet(PDF) - MJE5555 - KEC(Korea Electronics)

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DIFFUSED Scheda tecnica, PDF

Parola chiave cercata : 'DIFFUSED' - Total: 2601 (10/131) Pages

Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
KEC(Korea Electronics)	MJE5555	446Kb/2P	TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR
KEC(Korea Electronics)	MJE13003HV	445Kb/2P	TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR
Hitachi Semiconductor	2SB1079	36Kb/6P	Silicon PNP Triple Diffused
Hitachi Semiconductor	2SD476	32Kb/5P	Silicon NPN Triple Diffused
NXP Semiconductors	BUX46	331Kb/7P	SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTORS July 1988
NXP Semiconductors	BUJ303B	54Kb/7P	Silicon Diffused Power Transistor March 2002-Rev 1.000
Hitachi Semiconductor	2SC4897	21Kb/4P	Silicon NPN Triple Diffused
Hitachi Semiconductor	2SC4789	20Kb/4P	Silicon NPN Triple Diffused
NXP Semiconductors	BU2525AF	70Kb/7P	Silicon Diffused Power Transistor September 1997 Rev 1.400
	BU2527AX	72Kb/7P	Silicon Diffused Power Transistor September 1997 Rev 2.200
	BU2532AL	60Kb/6P	Silicon Diffused Power Transistor September 1997 Rev 1.100
	BU2720AX	75Kb/7P	Silicon Diffused Power Transistor September 1997 Rev 1.200
	BU2720DX	73Kb/7P	Silicon Diffused Power Transistor September 1997 Rev 1.300
	BU2722DF	54Kb/7P	Silicon Diffused Power Transistor November 1995 Rev 1.000
	BU2730AL	20Kb/4P	Silicon Diffused Power Transistor April 1997 Rev 1.000
	BU4506AF	44Kb/6P	Silicon Diffused Power Transistor July 1999 Rev 1.000
	BU4506DZ	57Kb/6P	Silicon Diffused Power Transistor January 1999 Rev 1.000
	BU4508AX	59Kb/7P	Silicon Diffused Power Transistor May 1998 Rev 1.000
	BU4508DZ	54Kb/6P	Silicon Diffused Power Transistor February 1999 Rev 1.000
	BU4515AX	42Kb/7P	Silicon Diffused Power Transistor June 1999 Rev 1.000

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Cosa è DIFFUSED

Nei componenti elettronici, diffuso è un termine comunemente usato nel processo di produzione dei semiconduttori.

Nel processo di produzione dei semiconduttori, diffuso si riferisce generalmente a una tecnologia che dissolve le impurità in un materiale a semiconduttore e provoca una reazione di ossidazione per creare un dispositivo a semiconduttore desiderato.

Queste tecnologie sono uno dei processi importanti per determinare le caratteristiche dei dispositivi a semiconduttore.

Ad esempio, nei dispositivi a semiconduttore che utilizzano silicio, la diffusione (una tecnologia che provoca una reazione di ossidazione mediante impurità di fusione) è comunemente usata per formare una giunzione PN (giunzione positiva negativa) all'interno del dispositivo.

Questa giunzione PN è uno dei componenti di base di diodi, transistor e circuiti integrati utilizzati in vari componenti elettronici ed è un fattore importante per determinare le caratteristiche elettriche dei dispositivi a semiconduttore.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.

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