DIFFUSED Datasheet(PDF) - BU2530AL - NXP Semiconductors

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DIFFUSED Scheda tecnica, PDF

Parola chiave cercata : 'DIFFUSED' - Total: 2601 (6/131) Pages

Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
NXP Semiconductors	BU2530AL	65Kb/6P	Silicon Diffused Power Transistor September 1997 Rev 1.200
	BU2708DF	72Kb/7P	Silicon Diffused Power Transistor September 1997 Rev 1.400
	BU2725AX	69Kb/7P	Silicon Diffused Power Transistor September 1997 Rev 1.400
	BU2727AX	67Kb/7P	Silicon Diffused Power Transistor September 1997 Rev 1.200
	BU4506DF	56Kb/6P	Silicon Diffused Power Transistor January 1999 Rev 1.000
	BU4506DX	58Kb/6P	Silicon Diffused Power Transistor January 1999 Rev 1.000
	BU4507DX	56Kb/6P	Silicon Diffused Power Transistor January 1999 Rev 1.000
	BU4507DZ	54Kb/6P	Silicon Diffused Power Transistor January 1999 Rev 1.000
	BU4508AZ	58Kb/7P	Silicon Diffused Power Transistor May 1998 Rev 1.000
	BU4522DF	20Kb/4P	Silicon Diffused Power Transistor July 1998 Rev 1.000
	BUJ100	62Kb/8P	Silicon Diffused Power Transistor September 1999 Rev 1.000
	BUJ101A	18Kb/4P	Silicon Diffused Power Transistor August 1998 Rev 1.000
	BUJ106A	59Kb/7P	Silicon Diffused Power Transistor March 1999 Rev 2.000
	BUJ106AX	63Kb/7P	Silicon Diffused Power Transistor March 1999 Rev 2.000
	BUJ204AX	107Kb/12P	Silicon Diffused Power Transistor August 1998
	BU1706A	76Kb/7P	Silicon Diffused Power Transistor September 1997 Rev 1.000
	BU1706AB	83Kb/7P	Silicon Diffused Power Transistor February 1998 Rev 1.000
	BU2506DF	66Kb/7P	Silicon Diffused Power Transistor September 1997 Rev 1.400
	BU2507AX	55Kb/6P	Silicon Diffused Power Transistor eptember 1997 Rev 1.100
	BU2508AF	70Kb/7P	Silicon Diffused Power Transistor September 1997 Rev 1.500

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Cosa è DIFFUSED

Nei componenti elettronici, diffuso è un termine comunemente usato nel processo di produzione dei semiconduttori.

Nel processo di produzione dei semiconduttori, diffuso si riferisce generalmente a una tecnologia che dissolve le impurità in un materiale a semiconduttore e provoca una reazione di ossidazione per creare un dispositivo a semiconduttore desiderato.

Queste tecnologie sono uno dei processi importanti per determinare le caratteristiche dei dispositivi a semiconduttore.

Ad esempio, nei dispositivi a semiconduttore che utilizzano silicio, la diffusione (una tecnologia che provoca una reazione di ossidazione mediante impurità di fusione) è comunemente usata per formare una giunzione PN (giunzione positiva negativa) all'interno del dispositivo.

Questa giunzione PN è uno dei componenti di base di diodi, transistor e circuiti integrati utilizzati in vari componenti elettronici ed è un fattore importante per determinare le caratteristiche elettriche dei dispositivi a semiconduttore.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.

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