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MOSFET Scheda tecnica, PDF

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3.5 V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR GSM1800 TRANSMISSION AMPLIFIERS
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NECs 3.2V, 3W, L/S BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET
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8 PIN SOP 100 V BREAKDOWN VOLTAGE 2-CH OPTICAL COUPLED MOSFET
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3.5 V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR 1.9 GHZ TRANSMISSION AMPLIFIERS
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3.2 V, 2 W, L&S BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET
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8-PIN DIP, 600V BREAK DOWN VOLTAGE 2-cH Optical Coupled MOSFET
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4 PIN SOP, 100 V BREAKDOWN VOLTAGE 1-CH OPTICAL COUPLED MOSFET
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NECs 3.0 V, 0.25 W L&S-BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET
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8 PIN SOP 200 V BREAK DOWN VOLTAGE 2-CH OPTICAL COUPLED MOSFET
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4.8 V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR GSM1800 AND GSM1900 TRANSMISSION AMPLIFIERS
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6, 8 PIN DIP SLOW SWITCHING TYPE 1-CH, 2-CH OPTICAL COUPLED MOSFET
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8 PIN DIP 400 V BREAKDOWN VOLTAGE, TRANSFER TYPE 2-CH OPTICAL COUPLED MOSFET
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6 AND 8 PIN DIP, 200 V BREAK DOWN VOLTAGE 1-CH, 2-CH OPTICAL COUPLED MOSFET

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Cosa è MOSFET


Transistor ad effetto di campo-semiconduttore metallo (MOSFET) è un tipo di dispositivo a semiconduttore di potenza utilizzato per il controllo di applicazioni ad alta potenza, come alimentatori, unità motore e inverter.

È un tipo di transistor ad effetto campo (FET), il che significa che funziona controllando il flusso di corrente tra i terminali di sorgente e di scarico utilizzando un campo elettrico.

In un MOSFET, il flusso di corrente è controllato da un sottile pellicola di ossido di metallo che funge da gate, che è isolato dal resto del dispositivo da un sottile strato isolante.

La tensione di gate controlla la larghezza del canale tra i terminali di origine e di scarico, che determina il flusso di corrente attraverso il dispositivo.

Esistono due tipi principali di MOSFET: n-channel e c-channel. I MOSFET N-Canale hanno un canale drogato con un materiale di tipo N, mentre i MOSFET a canale P hanno un canale drogato con un materiale di tipo P.

I MOSFET offrono numerosi vantaggi rispetto ad altri tipi di semiconduttori di potenza, tra cui elevata impedenza di input, bassa resistenza allo stato, velocità di commutazione rapida e alta efficienza.

Sono anche altamente versatili e possono essere utilizzati in una varietà di applicazioni, come alimentatori, unità motore e inverter.

Tuttavia, i MOSFET hanno anche alcuni svantaggi, tra cui un punteggio di tensione limitato e la necessità di un circuito di trasmissione di gate per controllare il dispositivo.

Inoltre, sono suscettibili alla fuga termica, che può causare il fallimento del dispositivo se si surriscalda.

Per mitigare questo rischio, i MOSFET sono spesso utilizzati in combinazione con altri componenti, come dispositivi di protezione termica o circuiti di snubber.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.


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