TRENCH Datasheet(PDF) - FGH75T65SHDTLN4 - ON Semiconductor

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TRENCH Scheda tecnica, PDF

Parola chiave cercata : 'TRENCH' - Total: 174 (1/9) Pages

Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
ON Semiconductor	FGH75T65SHDTLN4	465Kb/9P	IGBT - Field Stop, Trench IGBT - Field Stop, Trench November, 2019 ??Rev. P2
	NTR4101P	81Kb/5P	Trench Power MOSFET October, 2016 ??Rev. 12
	NTJS3151P	73Kb/5P	Trench Power MOSFET June, 2016 ??Rev. 4
	NTJS3157N	111Kb/6P	Trench Power MOSFET January, 2013 ??Rev. 3
	NTMD4102PR2	47Kb/4P	Trench Power MOSFET March, 2003 - Rev. 0
	NTJS4151P	121Kb/5P	Trench Power MOSFET August, 2014 ??Rev. 3
	NTST20100CT	132Kb/8P	Very Low Forward Voltage Trench-based Schottky Trench-based Schottky January, 2013 ??Rev. 5
	NTSAF345	60Kb/5P	Trench-based Schottky Rectifier November, 2016 ??Rev. 2
	NTSAF545	55Kb/5P	Trench-based Schottky Rectifier November, 2016 ??Rev. 2
	NTJD2152P	133Kb/6P	Trench Small Signal MOSFET March, 2006 ??Rev. 3
	NTSAF345	62Kb/5P	Trench-based Schottky Rectifier December, 2014 ??Rev. 0
	AFGHL40T65SPD	407Kb/10P	Field Stop Trench IGBT September, 2020 ??Rev. 5
	NTJD2152P	60Kb/6P	Trench Small Signal MOSFET January, 2004 ??Rev. 2
	NTSAF545	61Kb/5P	Trench-based Schottky Rectifier January, 2015 ??Rev. 1
	NRTSAF360	59Kb/5P	Trench-based Schottky Rectifier November, 2016 ??Rev. 1
	FGH75T65SQDTL4	848Kb/10P	Field Stop Trench IGBT February 2017 Rev. 1.0
	NTJD4152P	75Kb/5P	Trench Small Signal MOSFET February, 2015 ??Rev. 6
	FGH40T65UQDF	1Mb/11P	Field Stop Trench IGBT December 2016 Rev. 1.0
	FGB40T65SP_F085	946Kb/11P	Field Stop Trench IGBT November 2016 - Rev. 1.0
	AFGHL75T65SQ	246Kb/9P	Field Stop Trench IGBT July, 2020 ??Rev. 0

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Cosa è TRENCH

Trench è una delle tecnologie di produzione di componenti elettronici e viene utilizzata nel processo di realizzazione di dispositivi a semiconduttore.

Trench Technology è una tecnologia sviluppata per migliorare le prestazioni elettriche dei dispositivi a semiconduttore.

La tecnologia di trincea riprogetta la struttura dei dispositivi a semiconduttore per migliorare la generazione di calore del dispositivo e il degrado delle prestazioni.

Con la tecnologia della trincea, una piccola fossa (trincea) può essere scavata all'interno di un dispositivo a semiconduttore per aumentare la superficie del dispositivo.

Ciò migliora le prestazioni elettriche perché il percorso attraverso il quale i flussi di corrente sono più corti.

La tecnologia di trincea viene utilizzata principalmente in dispositivi a semiconduttore ad alte prestazioni come MOSFET (transistor dell'effetto del campo a semiconduttore di ossido di ossido di metallo).

Questi dispositivi a semiconduttore sono utilizzati in circuiti elettronici ad alta velocità, dispositivi di conversione di potenza e dispositivi di controllo automobilistico.

La tecnologia della trincea svolge un ruolo molto importante nel settore dei componenti elettronici moderni in quanto migliora le prestazioni e l'efficienza del dispositivo.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.

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